Samsung, 12nm DDR5 Bellek Yongalarını Tanıttı

Photo of author

By admin

Samsung, sektörde bir ilk olan 12nm süreci üzerine kurulu DDR5 DRAM için yeni bellek yongalarının seri üretimine başlama yolunda ilerliyor. Şirket, iyileştirilmiş performans ve daha yüksek güç verimliliği sayesinde gelecek nesil bilgi işlem, veri merkezleri ve yapay zeka uygulamalarını ilerletmek için 2023 yılında yeni yongaları üretmeye başlamayı hedefliyor.

Yeni 16 gigabit (Gb) DRAM yongaları, DDR5 standardını kullanan tüm platformlara fayda sağlayacak. Bununla birlikte Samsung, AMD’ye özel olarak iyileştirmelerin altını çiziyor. Yongaların DDR5 destekli (Zen4 ve AM5 soketi) en yeni AMD Zen platformları için optimize edildiği ve onaylandığı iddia ediliyor.

Daha yeni bir 12nm teknolojik sürece geçmek, Samsung’un önceki DRAM’den yüzde 23’e kadar daha az tüketirken, hızları 7,2 Gbps’ye çıkarmasına olanak tanıyor. Güncellenen bellek, artırılmış hücre kapasitesi ve iyileştirilmiş kritik devre özellikleri ile yeni bir üretim materyali kullanacak. Samsung ayrıca, yonga plakası üretkenliğini yüzde 20 artıran endüstrinin en yüksek kalıp yoğunluğuyla övünüyor.

Samsung, yeni 12nm DDR5 DRAM yongalarını çok çeşitli pazar segmentlerinde kullanmayı vaat ediyor. Bu nedenle her türlü bilgisayar ve sunucuda daha hızlı ve daha verimli RAM’ler bekliyoruz.

Yorum yapın

vozol 10000 vozol 12000 vozol 12000 vozol 10000 vozol puff dizipal